DDR3 时间参数-视频

DDR3用到许多与时间相关的参数，列举并解释如下如下：

（1）T_RAS ACTIVATE-to-PRECHARGE command period 激活命令到预充电命令的最小时间，也就是行激活并维持所需要的最小时间。通常为T_RCD+CL所决定。

（2） T_RP PRECHARGE command period 预充电的时间

（3）T_RC ACTIVATE-to-ACTIVATE command period 激活状态到激活状态的时间

（4）T_RCD RAS to CAS READ or WRITE delay, open a row and wait period of time for CAS# ，RAS#到CAS# 的延迟，也就是从RAS# 有效到CAS#有效的延迟时间

（5）T_CCD CAS#-to-CAS# command delay CAS#到CAS#的命令延迟时间

（6）T_RTP READ-to- PRECHARGE time 读到预充电的时间

（7）T_WTR Delay from start of internal WRITE transaction to internal READ command 写到读的转换时间

（8）T_wr Write recovery time, write end to precharge delay，写恢复时间，写完成到预充电的延迟

（9） T_CWD delay between column write command to data valid on bus from mem-control (SDRAM =0,DDR,DDR2=1, DDR3 programmable) 写命令到数据有效时间

（10）T_CAS time between col-rd (CAS) command and data valid on the data bus，CAS#到数据有效时间

（11）T_RFC refresh cycles.（refresh的总时间由温度决定）

（12） T_AL added latency to column accesses for posted CAS  CAS# 外加时间

（13）T_RTRS rank to rank switching time （rank是多个DDR控制器并联使用后的总RAM的结果）。

（14）T_FAW Four ACTIVE Windows    激活4行的时间。

具体的参数值如表1所示。